Transistor BSM200GB120DN2 module double IGBT de commutation rapide

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Description de Transistor BSM200GB120DN2 module double IGBT de commutation rapide

Module Électronique de Commutation BSM200GB120DN2

Le module de puissance BSM200GB120DN2 représente un choix fiable pour le remplacement et la mise à niveau de vos commutateurs de puissance. Développé pour supporter des commutations rapides sous des tensions élevées, ce bloc autonome assure une transition d'énergie propre et limite les perturbations électromagnétiques dans les circuits de commande.

Paramètres Électriques Fondamentaux

DésignationBSM200GB120DN2 / BSM200GB120DLC
Tension de Blocage1200 V
Courant Continu Max200 A
Type de CommutationHaute vitesse, faible inductance

Efficacité Énergétique et Stabilité

Ce module double IGBT se distingue par une tension de saturation extrêmement basse. Dans le cadre d'une utilisation sur des lignes de transport de courant continu ou des redresseurs, cette spécificité permet de restituer un maximum d'énergie utile, réduisant ainsi l'empreinte thermique globale de votre armoire de contrôle électrique.

Bénéfices Matériels Établis

  • Boîtier isolé de manière indépendante avec semelle en cuivre.
  • Borniers à vis robustes pour des connexions électriques durables.
  • Excellente immunité face aux pointes de tension transitoires.

Détails

OPC s7_CB0GW6C75MR
Référence produit s7_CB0GW6C75MR
Marque
Prix 19,99 €
Prix habituel 100,14 €
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Note 4.5 / 5.0
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Avis sur Transistor BSM200GB120DN2 module double IGBT de commutation rapide

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1
0 avis
Avis le mieux noté
5/5
J. Mclachlan
Publié le 13/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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